英特尔 (intel) 近来宣告，现已接纳商场首套具有0.55数值孔径（High-NA）的ASML极紫外（EUV）曝光机，将帮忙其在未来几年大成更先进的芯片制程技能。与之构成比照的是，台积电当时则好像按兵不动，并不急于参加这场下一代曝光技能的比赛。商场分析师估计，台积电或许要到1.4纳米 (A14)，或是更晚的2030年之后才会选用这项技能。
英特尔这次取得的High-NA EUV曝光机将首要用于学习和把握这项技能，并估计在未来两到三年内用于intel 18A制程技能之后的制程节点。相较之下，台积电则采纳愈加慎重的战略，商场分析师就以为，台积电或许要到估计的A1.4制程，或者是2030年之后才会选用High-NA EUV曝光机。
分析师表明，与英特尔方案将High-NA EUV与GAA晶体管一起导入intel 20A制程技能不同的是，估计台积电将在A14制程技能之后才导入High-NA EUV，乃至时刻将更晚到2030年今后。
事实上，英特尔活跃的制程技能发展道路A开端导入RibbonFET全环栅晶体管架构和PowerVia反面供电技能。然后，在intel 18A逐渐优化，并在intel 18A之后期程节点选用High-NA EUV曝光机，以到达更低功耗、更高功能，以及更小芯片尺度的方针。
商场分析师以为，至少在初期，High-NA EUV的本钱或许高于Low-NA EUV，这也是台积电暂时张望的原因。由于台积电更倾向于选用本钱更低的老练技能，以确认确保产品竞争力。由于High-NA EUV需求更高的光源功率才干驱动更精密的曝光尺度，这会加快投影光学器材和光罩的磨损，抵消了更高产能的优势。因而，这与台积电以最具本钱竞争力的技能瞄准商场的战略共同。
而台积电早在2019年就开端在芯片量产中运用EUV曝光机，尽管比三星晚了几个月，可是比英特尔却早了几年的时刻。当时，英特尔期望在High-NA EUV范畴抢先三星和台积电，以取得必定的技能和战略优势，添加客户的喜爱程度。所以，一旦台积电等更晚才选用High-NA EUV曝光机，能否继续保住其在制程技能方面的领头羊，则需求后续继续查询。
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